MT40A512M16TB-062E: R

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MT40A512M16TB-062E: R एक हाई-स्पीड डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी है जिसे X16 कॉन्फ़िगरेशन में DRAM के 8 सेट के रूप में आंतरिक रूप से कॉन्फ़िगर किया गया है और X4 और x8 कॉन्फ़िगरेशन में DRAM के 16 सेट। DDR4 SDRAM हाई-स्पीड ऑपरेशन प्राप्त करने के लिए 8N रिफ्रेश आर्किटेक्चर का उपयोग करता है। 8N प्रीफ़ेट आर्किटेक्चर को I/O पिन पर प्रति घड़ी चक्र प्रति घड़ी दो डेटा शब्दों को प्रसारित करने के लिए डिज़ाइन किए गए एक इंटरफ़ेस के साथ जोड़ा गया है।

नमूना:MT40A512M16TB-062E:R

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उत्पाद वर्णन

MT40A512M16TB-062E: R एक हाई-स्पीड डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी है जिसे X16 कॉन्फ़िगरेशन में DRAM के 8 सेट और x4 और x8 कॉन्फ़िगरेशन में DRAM के 16 सेट के रूप में आंतरिक रूप से कॉन्फ़िगर किया गया है। DDR4 SDRAM हाई-स्पीड ऑपरेशन प्राप्त करने के लिए 8N रिफ्रेश आर्किटेक्चर का उपयोग करता है। 8N प्रीफ़ेट आर्किटेक्चर को I/O पिन पर प्रति घड़ी चक्र प्रति घड़ी दो डेटा शब्दों को प्रसारित करने के लिए डिज़ाइन किए गए एक इंटरफ़ेस के साथ जोड़ा गया है।

उत्पाद गुण

उत्पाद प्रकार: डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

प्रकार: SDRAM - DDR4

स्थापना शैली: एसएमडी/एसएमटी

पैकेज/बॉक्स: FBGA-96

डेटा बस की चौड़ाई: 16 बिट्स

संगठन: 512 मीटर x 16

भंडारण क्षमता: 8 gbit

एक्सेस टाइम: 160 पीएस

बिजली की आपूर्ति वोल्टेज - अधिकतम: 1.26 वी

बिजली की आपूर्ति वोल्टेज - न्यूनतम: 1.14 वी

न्यूनतम कार्य तापमान: 0 सी

अधिकतम परिचालन तापमान: +95 डिग्री सेल्सियस


आवेदन

क्लाउड सर्वर और डेटा केंद्र

ऑटोमोबाइल

इंटरैक्टिव स्वास्थ्य परामर्श और व्यक्तिगत स्वास्थ्य निगरानी

औद्योगिक इंटरनेट ऑफ थिंग्स एंड इंडस्ट्री 4.0

गेमिंग पीसी

बढ़त और वीडियो निगरानी सर्वर


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